日前，長鑫存儲技術有限公司(以下簡稱“長鑫存儲”)與美國半導體公司Rambus Inc.(以下簡稱“藍鉑世”)簽署了專利許可協議。

　　依據此協議，長鑫存儲從藍鉑世獲得了大量動態隨機存取存儲(以下簡稱“DRAM”)技術專利的實施許可。不過根據雙方達成的一致，此協議中的其它詳細信息不予披露。

　　據悉，長鑫存儲和藍鉑世方面都對此次簽署的協議表達了高度的認可。長鑫存儲董事長兼CEO朱一明表示：“與藍鉑世達成的協議再次表明，長鑫存儲高度重視知識產權相關的國際規則，持續強化知識產權組合。公司致力于通過自主研發與國際合作，不斷增加在半導體核心技術和高價值知識產權方面的積累，并以此為基礎實現可持續發展，穩步提升市場競爭力。”

　　藍鉑世總裁兼CEO Luc Seraphin表示：“在中國 DRAM 市場投資顯著增長的背景下，長鑫存儲脫穎而出，成為中國 DRAM 產業的引領者。我們高興地看到長鑫存儲走上DRAM產業的國際舞臺。這份長期協議的簽署為長鑫存儲的業務發展提供權益保障，同時認可了藍鉑世廣泛的存儲技術專利組合的重要價值。”

　　據集微網報道，長鑫存儲于去年12月宣布，就原動態隨機存取存儲芯片(DRAM)制造商奇夢達開發的 DRAM 專利，長鑫存儲與 WiLAN 全資子公司 Polaris Innovations Limited 達成專利許可協議和專利采購協議。據了解，長鑫存儲通過與奇夢達合作，將一千多萬份有關DRAM的技術文件(約2.8TB數據)收歸囊中。

　　此外，朱一明于去年5月透露長鑫用14個月即完成晶圓廠建設，一共花費25億美金用在研發和資本支出。朱一明也強調合肥長鑫具有合規完善的技術來源，同時重視知識產權，長鑫共有1萬6千個專利申請，同時公司獲得了非常多的專利，并擁有獨有的技術。

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